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《化合物半导体》中国版(CSC)是全球最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的“姐妹”杂志，亦是中国唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志，重点介绍国外先进技术和产业化经验，促进国内产业发展，为国内读者提供化合物半导体行业的专业知识。戚晓东,叶淑娟,张楠,秦莉,王立军. 面发射分布反馈半导体激光器及光栅耦合半导体激光器[j]. 中国光学, 2010, 3(5): 415-431. 被引情况【1】海一娜,邹永刚,田锟,马晓辉,王海珠,范杰,白云峰. 水平腔面发射半导体激光器研究进展. 中国光学, 2017, 10(2): 194-206 器件综合特性测试结果为:腔长900 μm器件的阈值电流密度典型值为400 A/cm2,内损耗低至1.0 cm-1;连续工作条件下,150 μm条宽器件输出功率达到6 W,最大斜率效率为1.25 W/A。半导体量子点及其应用（Ⅱ）.pdf,维普资讯评述半导体量子点及其应用 (Ⅱ)水赵凤瑷张春玲王占国 (中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083) Shchekin和Deppe 以两层 InAs／GaAs量子点为有 4 半导体量子点的应用源区，并对GaAs势垒层进行P型掺杂，制成的量子点激光器当温度达到硅基锑化铟薄膜的制备与光电性能研究.pdf,Classified Index: TN304.055 U.D.C: 621.315.592 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering PREPARATION AND OPTICAL-ELECTRONICAL PROPERTIES OF InSb FILM ON Si-BASED SUBSTRATE Candidate ： Li Dengyue Supervisor： Prof. Zhao Liancheng Vice-supervi 提供掺杂zno 所致的禁带宽度增大现象研究文档免费下载，摘要:第55卷第9期2006年9月100023290Π2006Π55(09)Π4809207物理学报ACTAPHYSICASINICAVol.55,No.9,September,2006ν2006Chin.Phys.Soc.Mg掺杂ZnO所图1．5所示为Ge光电二极管和InGaAs光电二极管的光谱响应[42】。相比Ge光电二极管，InGaAs光电二极管具有更快的响应速度、更高的量子效率和更低的暗电流。同时通过控制ImGal。As中h1的含量(x值)，可以使器件在0．85～3．5岬波长范围内工作。

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图1．5所示为Ge光电二极管和InGaAs光电二极管的光谱响应[42】。相比Ge光电二极管，InGaAs光电二极管具有更快的响应速度、更高的量子效率和更低的暗电流。同时通过控制ImGal。As中h1的含量(x值)，可以使器件在0．85～3．5岬波长范围内工作。 Glgoo 学术搜索提供可广泛搜索学术文献的简便方法。您可以从一个位置搜索众多学科和资料来源：来自学术著作出版商、专业性社团、预印本、各大学及其他学术组织的经同行评论的文章、论文、图书、摘要和文章。欧洲设备制造商股价表现强劲季刊 2018年第4期 microLED用于微型显示器纳米线阵列互连 GaN 激光器下一代重要材料 β-Ga 2 O 3 图1．5所示为Ge光电二极管和InGaAs光电二极管的光谱响应[42】。相比Ge光电二极管，InGaAs光电二极管具有更快的响应速度、更高的量子效率和更低的暗电流。同时通过控制ImGal。As中h1的含量(x值)，可以使器件在0．85～3．5岬波长范围内工作。分类号 UDC 密级学位论文三源共蒸法制备 CuInSe2 太阳能电池薄膜及其性能研究作者姓名 : 孙绍广指导教师 : 单玉桥教授东北大学材料与冶金学院材料研究所申请学位级别: 硕士学科专业名称: 材料学论文提交日期: 2007 年 1 月学位授予日期: 评阅人 : 日论文答辩日期 : 2007 年 1 月日 cigs薄膜的制备方法与电沉积技术的发展,电子发烧友网站提供各种电子电路，电路图，原理图,ic资料，技术文章，免费下载等资料，是广大电子工程师所喜爱电子资料网站。提供掺杂zno 所致的禁带宽度增大现象研究文档免费下载，摘要:第55卷第9期2006年9月100023290Π2006Π55(09)Π4809207物理学报ACTAPHYSICASINICAVol.55,No.9,September,2006ν2006Chin.Phys.Soc.Mg掺杂ZnO所

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硅基锑化铟薄膜的制备与光电性能研究.pdf,Classified Index: TN304.055 U.D.C: 621.315.592 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering PREPARATION AND OPTICAL-ELECTRONICAL PROPERTIES OF InSb FILM ON Si-BASED SUBSTRATE Candidate ： Li Dengyue Supervisor： Prof. Zhao Liancheng Vice-supervi Phonons in nanostructures This book focuses on the theory of phonon interactions in nanoscale structures with particular emphasis on modern electronic and optoelectronic devices.

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分类号 UDC 密级学位论文三源共蒸法制备 CuInSe2 太阳能电池薄膜及其性能研究作者姓名 : 孙绍广指导教师 : 单玉桥教授东北大学材料与冶金学院材料研究所申请学位级别: 硕士学科专业名称: 材料学论文提交日期: 2007 年 1 月学位授予日期: 评阅人 : 日论文答辩日期 : 2007 年 1 月日胡玉禧,张红强,周绍祥;一种测量折射率的新方法[j];光电工程;1997年04期 4 J.C.Bhattacharya;果宝智;; 折射率测量 [J];光学技术;1990年02期

分类号 UDC 密级学位论文三源共蒸法制备 CuInSe2 太阳能电池薄膜及其性能研究作者姓名 : 孙绍广指导教师 : 单玉桥教授东北大学材料与冶金学院材料研究所申请学位级别: 硕士学科专业名称: 材料学论文提交日期: 2007 年 1 月学位授予日期: 评阅人 : 日论文答辩日期 : 2007 年 1 月日

序号,预订册数,题名,第一责任者,出版社,内容简介,分类,isbn,定价,开本1,,统一坐标系下的计算流体力学方法,许为厚,徐昆编,科学出版社,本书首先回顾了一维和多维计算流体力学中的欧拉、拉格朗日以及ALE(Arbitrary-Lagrangian-Eulerian)方法的优缺点以及各种移动网格方法,然后系统介绍了统一坐标法,用一些 fpga器件自身拥有可编程特性，借助这种优势，可避免asic器件前期高昂的一次性工程费用，消除最低订单数量和多芯片迭代风险和损失。医疗行业本身是与科技发展联系最为紧密的行业之一，伴随FPGA器件的不断迭代升级，更多新设备出现，引领了新的治疗方法据报道，印度储备银行已采取措施遏制加密货币对卢比的交易并成立了一个小组，探讨自己的数字货币。央行发行的数字货币可以使现金流变得更少 RBL Bank数字和新举措主管S

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